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G3VM-21AR/21DR MOS FET歐姆龍繼電器

小型DIP4針封裝,實現與機械式繼電器相當的低導通電阻、高容量開關的MOS FET繼電器 負載電壓 30V 連續負載電流 4A(最大)
  1. 種類
  2. 額定/性能
  3. 外形尺寸
  4. 注意事項
形狀 接點結構 負載電壓
(最大) * 		連續負載電流
(最大) * 		包裝狀態/桿狀 包裝狀態/帶狀
型號 最小包裝
單位(個) 		型號 最小包裝
單位(個)
印刷基板用端子 表面安裝端子 表面安裝端子
DIP4 1a 20 V 3 A G3VM-21AR --- 100 --- ---
* 連續負載電流 (最大)、 負載電壓 (最大) : 表示峰值AC、 DC。
注1. 帶狀包裝（表面安裝端子型） 無標準在庫機種。
注2. 帶狀包裝（表面安裝端子型） 的訂貨請在型號末尾加上（TR） 或（TR05）。
絕對最大額定值 (Ta = 25oC)
項目 符號 定值 單位 條件
輸
入
側 		LED正向電流 IF 30 mA
重復峰值LED 正向電流 IFP 1 A 100μs脈沖、100pps
直流正向電流 降低比率 △IF/℃ ?0.3 mA/°C Ta ≥ 25°C
LED反向電壓 VR 5 V
粘合部位溫度 TJ 125 °C
輸
出
側 		負載電壓(峰值AC/DC) VOFF 20 V
連續負載電流(峰值AC/DC) IO 3 A
導通電流降低比率 △IO/℃ ?30 mA/°C Ta ≥ 25°C
脈沖導通電流 Iop 9 A t = 100 ms, Duty = 1/10
粘合部位溫度 TJ 125 °C
輸入輸出間耐電壓(注1) VI-O 2,500 Vrms AC持續1分鐘
使用環境溫度 Ta -40 ~ +85 °C 無結冰、無結露
保存溫度 Tstg ?55 ~ +125 °C
焊接溫度條件 — 260 °C 10 s

(注1): 測量輸入輸出間的耐電壓時, 分別對LED針腳、 受光側針腳統一地施加電壓。

電氣性能 (Ta = 25oC)
項目 符號 最小 標準 最大 單位 條件
輸
入
側 		LED正向電 壓 VF 1.18 1.33 1.48 V IF?= 10 mA
反向電流 IR --- --- 10 μA VR?= 5 V
端子間電容 CT --- 70 --- pF V = 0, f = 1 MHz
觸發LED正 向電流 IFT(IFC) --- 0.7 3 mA IO?= 1 A
復位LED正 向電流 IFC(IFC) 0.1 0.1 --- mA IOFF?= 10 μA
輸
出
側 		最大輸出導
通電阻 		RON --- 40 80 mΩ IF?= 5 mA, t < 1s, IO?=2 A
開路時漏電流 ILEAK --- --- 1 μA VOFF=20V
端子間電容 COFF --- 300 --- pF V = 0, f = 1 MHz
輸入輸出間電容 CI-O --- 0.8 --- pF f = 1 MHz, VS?= 0 V
輸出輸入間電容絕緣電阻 RI-O 1000 108 --- MΩ VI-O?= 500 VDC,
ROH ≤ 60%
動作時間 tON --- 1 5 ms IF?= 5 mA, RL?= 200 Ω,
VDD?= 20 V(注2)
復位時間 tOFF --- 0.3 1
(注2): 動作、復位時間
動作、復位時間
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